Tantaalitanko elektroniselle teollisuudelle

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal Materials Co., Ltd. toimittaa korkeaa - Laatu harvinaisia ​​metalleja, mukaan lukien lähinnä Niobium hafnium -seos 103, volframi, tantalum, niobium, hafnium, titaani, zirkoni, nikkel, vanadium ja rodujen allotit, kourdien, koolilaisten allotit. Johdot, putket, samoin kuin syvät jalostetut tuotteet, kuten laivat, upotukset, ruiskuttavat kohteet, pinnoituskohteet, koneistetut osat, korkeat - lämpötila uunien eristysnäytöt, lämmityselementit, uunirungot (lämmitysuunit, hehkutetut uunit), korroosiot - vastustuskykyiset varusteet jne. jne.

Tantalumin valmistajana, toimittajana ja viejänä tarjoamme korkeaa - puhtautta, korkeaa - lämpötilankestävää, korroosiota - vastustuskykyisiä, ilmailu-, puolustus-, armeijan ja meren suunnittelun erikoistuotteita huolestuttavan laadun ja suotuisampien hintojen kanssa! Asiakaspalvelu on aina verkossa, joten sinulla ei ole hätää.

Ominaisuudet ja ominaisuudet

 

 

01

Suuritiheys

Tantalumin tiheys on noin 16,68 g/cm ³, mikä on vaadittu paino ja vakaus tietyissä sovelluksissa.

 

02

Korkea sulamispiste

Tantalumin korkea sulamispiste antaa sen kestämään äärimmäisiä lämpötiloja, joten se sopii sovelluksiin korkeissa - lämpötilaympäristöissä.

 

03

Korroosionkestävyys

Tantaalilla on erinomainen korroosionkestävyys monissa happo-, alkalissa ja suolaliuoksissa, etenkin vahvoissa happoympäristöissä.

 

04

Hyvä johtavuus ja lämmönjohtavuus

Tantaalilla on erinomainen johtavuus ja lämmönjohtavuus, joten se sopii lämpöhallintaan elektronisissa sovelluksissa.

Tantaalitanko (puhtaus, joka on suurempi tai yhtä suuri kuin 99,95%) on tullut korvaamaton materiaali elektronisille komponenteille sen ultra - korkean dielektrisen vakiosta (pintaoksidikalvon dielektrinen vakio jopa 26) ja alhaiset vuotovirtaominaisuudet. Sen lämpölaajennuskerroin (6,5 × 10 ⁻⁶/ aste) on lähellä piikiekkojen (4,5 × 10 ⁻⁶/ aste), joka voi tehokkaasti vähentää lämpörasituksen aiheuttamaa laitteen vikaantumista. Korkeassa - lämpötilassa ja korkeassa - taajuusympäristöissä tantaalitangojen stabiilisuus on parempi kuin perinteiset materiaalit, kuten alumiini ja kupari. Esimerkiksi niiden resistiivisyys kasvaa vain 12%: lla 300 asteessa, kun taas kupariseokset nousevat jopa 45%: iin.

Tyypilliset sovellusskenaariot ja tapaukset

• Tantalum -kondensaattorin valmistus

Japanin Murata -instituutti käyttää huokoista anodia, joka on muodostettu sintraamalla halkaisijaltaan 0,3 mm: n tantaalitangoa, jonka tietty kapasiteetti on jopa 200000 μ F · V/g, joka on 8 kertaa alumiinisäntökondensaattorit. Sen tuotteita käytetään laajasti 5G: n tukiaseman tehomoduuleissa, mikä saavuttaa 60%: n koon pienenemisen samalla kun elinikä pidentää 100000 tuntia.

• Puolijohde ruiskuttaa kohdemateriaalia

SMIC käyttää halkaisijaltaan 50 mm: n tantaalivolframiseoksen sauvaa (TAW-10%) estekerroksen valmistamiseksi 7 nm: n siruille, sputteroivan laskeutumisnopeuden ollessa 0,8 μm/min ja vikojenopeus alle 0,1/cm ², mikä parantaa satoa 15% verrattuna perinteisiin kuparitavoitteisiin.

• Tarkastusvastus

Vishay Corporationin Yhdysvaltojen Vishay Corporationin kehittämän taantalitangon pohjaisen ohutkalvovastuksen lämpötilakerroin on niin alhainen kuin ± 5ppm/ aste, ja sitä käytetään avaruusaluksen virranhallintajärjestelmissä. Resistenssin heilahtelu on alle 0,01% ympäristöissä -55 asteesta 200 asteeseen.

Tantalum -sauvaelektroniikan nykyinen levitys on edessään kaksi suurta pullonkaulaa:

• Kustannushallinta: Korkeat puhtauden tantaalitangot (suuremmat tai yhtä suuret kuin 99,99%) hinnoitellaan 300 yuan/g ja ne vaativat jauhemetallurgiaprosessin optimointia (kuten kylmä isostaattinen puristus+plasman sintraus) saannon lisäämiseksi 65%: sta 85%: iin.
• MIKROMAKASTUS: Vastauksena MEMS -laitteiden vaatimuksiin olemme kehittäneet ultra - hienon tantaalitangon piirustustekniikkaa, jonka halkaisija on 0,05 mm, yhdistettynä nanomittakaavan pintakäsittelyyn (kuten AL ₂ O3 -pinnoitteen atomikerroksen laskeuma).

6G -viestinnän (kaupallinen vuoteen 2028) ja kvanttitietotekniikan (teollistumisen vuoteen 2030 mennessä), taantaalitangon kysyntä esittelee kolme suurta kasvupistettä:

• Mikrokaptiot: Vastaan ​​0,1 mm ³ Ultra pienen energian varastointiyksiköiden kysyntä puettavissa laitteissa, odotettavissa oleva markkinoiden koko on 12 miljardia dollaria vuoteen 2030 mennessä.
• Kolmannen sukupolven puolijohdesubstraatti: GAN: nä heterojunction -substraatissa, sen lämmönjohtavuus (57 W/m · K) on parempi kuin safiiri (35 W/m · K), mikä voi parantaa voimalaitteiden lämmön hajoamisen tehokkuutta 30%.
• Joustava elektroniikka: Yhdistämällä Tantalum -kalvo (paksuus 10 μm) PI -substraatin kanssa kehitetään joustava piirilevy, jolla on suuri potentiaali levitettäväksi lääketieteellisen elektroniikan alalla.

5G: n tukiasemista kvanttisiruihin, tantaalitangot lisäävät innovatiivista energiaa elektroniikkateollisuuteen korvaamattomalla suorituskykyyn. 6G: n viestinnän räjähtävän kasvun ja kolmannen sukupolven puoliskon rungon kanssa tantaali sauva murtuu miniatyrisoinnin ja kustannusten pullonkaulan läpi ja avaa XIntiandin joustavan elektroniikan, voimalaitteiden jne. Pelloilla jne.

Aivan kuten jokaisen tantalimakondensaattorin vakaa toiminta tukee modernin digitaalisen yhteiskunnan pulssia, jokaisesta taantaalimateriaalin teknologisesta harppauksesta tulee vankka kulmakivi ihmiskunnalle tutkia elektronista rajaa. Seuraavan vuosikymmenen aikana Kiinan odotetaan johtavan Tantalum Rod -sovellusten uutta aaltoa, jolla on etuja koko teollisuusketjussa ja teknologisessa innovaatiossa, jolloin tämä "teollisuus vitamiini" voi loistaa vielä kirkkaammin.

Suositut Tagit: Tantal -sauva elektroniikkateollisuudelle, Kiinan tantaalitanko elektroniikkateollisuuden valmistajille, toimittajille, tehtaalle